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砷化鎘化學(xué)式Cd3As2。分子量487.04。灰黑色立方系晶體。有毒!熔點(diǎn)721℃，相對(duì)密度6.2115。易溶于硝酸，微溶于鹽酸，不溶于水和王水。遇酸能釋放出AsH3，遇氧化劑則能燃燒。制法：通砷于硫酸鎘的弱氨溶液即得。如將鎘和砷在惰性氣體中加熱，得到的砷化鎘產(chǎn)物是淡紅色晶體，為非離子性結(jié)構(gòu)。用途：作化學(xué)試劑。
砷化鎘應(yīng)用舉例如下：
1）制備一種基于砷化鎘薄膜的被動(dòng)鎖模光纖激光器，采用環(huán)形腔結(jié)構(gòu)，由波分復(fù)用器第二端、增益光纖(3)、隔離器(4)、光纖耦合器(5)、偏振控制器(6)、砷化鎘可飽和吸收體(7)、單模光纖、波分復(fù)用器第三端依次連接成環(huán)狀，隔離器的另一端連接光纖耦合器輸入端，光纖耦合器的第一輸出端作為脈沖激光輸出，第二輸出端在環(huán)路連接偏振控制器的第一端；偏振控制器另一端連接砷化鎘薄膜可飽和吸收體的一端，砷化鎘薄膜可飽和吸收體第二端和單模光纖第一端相連；泵浦源通過(guò)波分復(fù)用器的第一端即泵浦輸入端將泵浦光耦合注入稀土摻雜的增益光纖中，利用砷化鎘在近紅外及中紅外波段具有超快可飽和吸收特性，實(shí)現(xiàn)高脈沖能量鎖模脈沖輸出。
2）一種砷化鎘納米簇的制備方法，具體涉及一種可用于大量制備砷化鎘納米簇的合成方法。本發(fā)明利用砷化物與無(wú)機(jī)酸反應(yīng)制取AsH3氣體，并同時(shí)將氣體通入到N2保護(hù)的羧酸鎘的十八稀溶液中進(jìn)行反應(yīng)，生成Cd3As2納米簇化合物。本發(fā)明制備的納米簇有著十分尖銳對(duì)稱的吸收及熒光峰，表現(xiàn)出較好的發(fā)光性質(zhì)，具有良好的單分散性，整個(gè)反應(yīng)操作簡(jiǎn)單，所有反應(yīng)物成本相對(duì)便宜且利于保存，并且可以大量合成，反應(yīng)過(guò)程不使用有機(jī)磷。
3）一種利用分子束外延設(shè)備生長(zhǎng)大尺寸砷化鎘薄膜的方法。本發(fā)明方法，利用云母作為襯底，首先生長(zhǎng)碲化鎘作為緩沖層，利用砷化鎘非晶塊體材作為熱蒸發(fā)源，以較低溫度生長(zhǎng)砷化鎘低溫緩沖層,隨后在較高溫度生長(zhǎng)砷化鎘薄膜至所需厚度。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，使用經(jīng)濟(jì)的云母作為襯底，襯底處理工藝簡(jiǎn)單，采用非晶砷化鎘蒸發(fā)源對(duì)設(shè)備要求低，工藝簡(jiǎn)單可獲得晶圓級(jí)單晶薄膜，樣品尺寸可達(dá)兩英寸；薄膜單晶質(zhì)量好，遷移率高。薄膜單晶質(zhì)量好，遷移率高。
4）一種砷化鎘量子點(diǎn)的制備方法。本發(fā)明利用砷化物與無(wú)機(jī)酸反應(yīng)制取AsH3氣體，并同時(shí)將制備的AsH3氣體通入到N2保護(hù)的羧酸鎘的十八稀溶液中進(jìn)行反應(yīng)，生成Cd3As2納米簇化合物，再以制得的Cd3As2簇為反應(yīng)前體，以有機(jī)胺為配體，以十八烯為溶劑，在不同溫度下以熱注入的方法反應(yīng)5~10分鐘即可得到不同尺寸的Cd3As2量子點(diǎn)。本發(fā)明制備的量子點(diǎn)有著較好的近紅外發(fā)光性質(zhì)，有良好的單分散性，尺寸可調(diào)，光譜可調(diào)范圍寬，整個(gè)反應(yīng)操作簡(jiǎn)單，所有反應(yīng)物成本相對(duì)便宜且利于保存，并且可以大量合成。
[1]化合物詞典
[2] CN201710008206.2基于砷化鎘薄膜的被動(dòng)鎖模光纖激光器
[3] CN201410191155.8一種砷化鎘半導(dǎo)體納米簇的制備方法
[4] CN201810377140.9一種利用分子束外延設(shè)備生長(zhǎng)大尺度砷化鎘薄膜的方法
[5] CN201410191161.3一種砷化鎘量子點(diǎn)的制備方