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1312-43-2 / 氧化銦的主要應(yīng)用

背景及概述[1]

氧化銦為黃色片狀立方或紅棕色晶體。相對(duì)密度7.179,熔點(diǎn)1910℃,850℃時(shí)揮發(fā),不溶于水,易溶于酸。溶于堿生成銦酸鹽。溫度高于850℃以上轉(zhuǎn)變成四氧化三銦。將硝酸銦加熱分解,或氫氧化銦灼燒脫水均可制得。用于制造玻璃,其它銦鹽的制備。In2O3(Indiumoxide,氧化銦)是一種n型透明半導(dǎo)體材料,具有較寬禁帶寬度、低電阻率和高催化活性,在光電領(lǐng)域、氣敏、催化劑方面廣泛應(yīng)用。當(dāng)氧化銦尺寸達(dá)到納米級(jí)別時(shí)除了具有上述特點(diǎn)外,還具有納米材料的表面效應(yīng)、量子效應(yīng)和量子隧道效應(yīng),并可產(chǎn)生奇異的力學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)、光學(xué)、熱學(xué)和化學(xué)特性,在國(guó)防、電子、化工、冶金、航空、醫(yī)藥等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用價(jià)值。現(xiàn)有技術(shù)中,納米級(jí)氧化銦常用制備方法為溶膠-凝膠法。其主要制備過(guò)程為,用含高化學(xué)活性組分的化合物作前軀體,在液相下將這些原料均勻混合,并進(jìn)行水解、縮合化學(xué)反應(yīng),在溶液中形成穩(wěn)定的透明溶膠體系,溶膠經(jīng)膠粒間緩慢聚合,形成三維空間網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的凝膠,凝膠網(wǎng)絡(luò)間充滿(mǎn)了失去流動(dòng)性的溶劑,形成凝膠。凝膠經(jīng)過(guò)干燥、燒結(jié)固化制備出分子乃至納米亞結(jié)構(gòu)的材料。

應(yīng)用[2-5]

氧化銦主要用于堿錳電池代汞緩蝕劑和消氣劑,亦廣泛應(yīng)用于有色玻璃、陶瓷、化學(xué)試劑等傳統(tǒng)領(lǐng)域。近年來(lái)大量應(yīng)用于光電行業(yè)等高新技術(shù)領(lǐng)域和軍事領(lǐng)域,特別適用于加工銦錫氧化物(ITO)靶材,制造透明電極和透明熱反射體材料,用于生產(chǎn)平面液晶顯示器和除霧冰器。是當(dāng)今信息高科技領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。

1)制備一種非晶氧化銦鋅/氧化銦納米晶同質(zhì)復(fù)合薄膜晶體管,以非晶氧化銦鋅/氧化銦納米晶同質(zhì)復(fù)合薄膜為半導(dǎo)體溝道層,在復(fù)合薄膜中,復(fù)合的納米氧化銦和氧化銦鋅的摩爾比為0.5%~1%。將0.5%~1%摩爾比的氧化銦納米顆粒加入到銦鹽-鋅鹽復(fù)合膠體溶液中,利用旋涂法和煅燒,制備出高性能的氧化銦鋅薄膜,再將其進(jìn)行微納加工如光刻、刻蝕、再光刻以及電極的蒸鍍和剝離制備出復(fù)合型薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管。通過(guò)控制工藝條件,可以得到具有高遷移率的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,并且使其具備較高的透光性能。制備方法成本低廉,可實(shí)現(xiàn)大規(guī)模批量生產(chǎn)。

2)制備一種氧化銦納米晶,將基板置入蒸發(fā)爐腔室中的基板架上,同時(shí)將氧化銦原料置入所述腔室中的坩堝中;加熱氧化銦原料,使其溶解、并部分揮發(fā)分解為金屬銦蒸汽,金屬銦蒸汽揮發(fā)至所述基板處,冷凝形成金屬液滴;繼續(xù)加熱所述氧化銦原料揮發(fā)出氧化銦蒸汽,使氧化銦蒸汽揮發(fā)至金屬液滴處,金屬液滴作為納米晶生長(zhǎng)的催化劑,不斷溶解氧化銦,至過(guò)飽和狀態(tài),便會(huì)在所述金屬液滴內(nèi)析出氧化銦晶核,最終形成一維或準(zhǔn)一維柱狀氧化銦納米晶。本實(shí)施所提出的氧化銦納米晶生長(zhǎng)方法,以氧化銦原料中分解形成的銦液滴為催化劑生長(zhǎng)納米晶,容易獲得大面積純度高納米晶;在生長(zhǎng)過(guò)程中,只用到氧化銦一種原料,工藝過(guò)程簡(jiǎn)單且安全。

3)制備一種氧化銦透明半導(dǎo)體薄膜。包括如下步驟:稱(chēng)取可溶性的銦鹽,量取溶劑,配置濃度為0.01-0.5摩爾/升的氧化銦前驅(qū)體溶液,經(jīng)過(guò)0.1-3小時(shí)的磁力攪拌和超聲分散形成澄清透明的氧化銦前驅(qū)體溶液;制備氧化銦薄膜:將氧化銦前驅(qū)體溶液涂覆到清洗好的襯底上形成氧化銦前驅(qū)體薄膜,進(jìn)行50-150℃的預(yù)熱處理,然后經(jīng)過(guò)一定功率、時(shí)間和溫度的光波退火,根據(jù)氧化銦薄膜的厚度要求可多次涂覆前驅(qū)體氧化銦溶液并退火處理,即得到氧化銦透明半導(dǎo)體薄膜。本發(fā)明所得氧化銦薄膜在晶體管、存儲(chǔ)器、太陽(yáng)能電池等信息能源領(lǐng)域有重要應(yīng)用前景。通過(guò)本發(fā)明的工藝可以避免通常的高溫溶液工藝、工藝周期長(zhǎng)或昂貴設(shè)備等,成本低,適合工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。

制備[2]

將500g4N的銦在160℃熔融,經(jīng)水淬得到銦花,取出與硝酸反應(yīng),即在不斷攪拌的條件下緩慢加入濃度(wt%)為68%的硝酸約500mL,并加適量電導(dǎo)率小于500us/cm、可溶性SiO2低于0.02mg/L的水、得到In3+濃度為1.5mol/L硝酸銦溶液;450mL質(zhì)量濃度為27%的氨水與1350mL水按體積比為1∶3配制得到氨水溶液,其重量濃度為6.2%。將上述硝酸銦溶液和氨水溶液在不斷攪拌條件下同時(shí)加入有電導(dǎo)率小于500us/cm、可溶性SiO2低于0.02mg/L的水做底液的反應(yīng)器中,控制反應(yīng)體系溫度90℃,過(guò)程pH為4.0,終點(diǎn)pH為5.0,加完后再反應(yīng)30min,過(guò)濾,得到白色濾餅。經(jīng)漿洗3次,淋洗2次,所得白色濾餅在恒溫干燥箱中于90℃干燥6小時(shí)烘干;冷卻后制粉,然后放入設(shè)置溫度為160℃恒溫干燥箱中干燥5小時(shí),冷卻后打包,得到外觀為白色、粒度為1.12μm的電池級(jí)氫氧化銦;上述氫氧化銦放入設(shè)置溫度為400℃煅燒爐中煅燒5小時(shí),冷卻制粉,得到外觀為淡黃色、粒度為1.06μm的電池級(jí)氧化銦。

氧化銦的主要應(yīng)用

主要參考資料

[1] 無(wú)機(jī)化合物辭典

[2] CN201010583755.0一種電池級(jí)氫氧化銦和氧化銦的制備方法

[3] CN201110443501.3非晶氧化銦鋅/氧化銦納米晶同質(zhì)復(fù)合薄膜晶體管及其制備方法

[4] CN201610198143.7一種氧化銦納米晶及其生長(zhǎng)方法

[5] CN201610821771.6一種氧化銦透明半導(dǎo)體薄膜的低溫溶液制備方法

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