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磷化銦（InP）是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料之一，是繼Si、GaAs之后的新一代電子功能材料。磷化銦具有許多優點，直接躍遷型能帶結構，高的電光轉換效率和電子遷移率，易于制成半絕緣片材料，適合制作高頻微波器件和電路，工作溫度高，具有強的抗輻射能力，作為太陽能電池材料轉換效率高等。這些特征決定了其在固體發光、微波通信、光纖通信、制導/導航、衛星等民用和軍事領域的應用十分廣闊。
20世紀50年代末，科學工作者應用水平布里奇曼法、溫度梯度法和磁耦合提拉法生長出了磷化銦單晶。1965-1968年Mullin等人第一次用三氧化二硼做液封劑，用LEC法生長出了磷化銦單晶材料，為以后生長大直徑、高質量Ⅲ-Ⅴ族單晶打下基礎，磷化銦材料的研究也才真正開始。隨著20世紀80年代透射電鏡技術的應用和迅速發展以及光纖通信事業的大發展，光電器件的走紅，太陽能電池的大量需求，極大的推動了與這些技術密切相關的磷化銦材料的研究和發展。北大西洋公約組織在1980年召開了三年一屆的磷化銦工作會議，到1989年，由于磷化銦材料與器件發展迅速，工作會議改為由IEEE等國際著名組織主辦的以磷化銦命名的國際性學術會議--“磷化銦及相關材料國際會議（IPRM）”，會議每年召開一次。美國國防部早在1989年就專門制訂了關于磷化銦到2000年的發展規劃，目的是找到磷化銦單晶材料的可靠來源，以提高其在21世紀的實戰能力，因為磷化銦的微波和毫米波單片電路能使陸軍采用固態器件和相控技術來發展先進的雷達和通信系統。其他英、日、俄、法等技術先進國家也早在20世紀70年代末就對磷化銦單晶材料的制備和相關器件的發展給以極大的關注，所以目前仍是這些國家在此領域保持領先地位，并積極開拓市場，使之真正實現廣泛應用。
我國的磷化銦材料起步并不晚，在20世紀70年代就開始了磷化銦單晶材料的研制工作，到1976年就用國產自行設計制造的首臺高壓單晶爐生長出了我國第一根具有使用和研究價值的磷化銦單晶。到80年代初開始了我國自己的磷化銦器件研制工作。盡管由于我國的基礎工業還比較落后，磷化銦的應用在我國還遠不如人意，但我國一直沒有放棄這一重要領域的研究工作，我國的科學工作者在磷化銦多晶合成和單晶生長方面取得了許多成果。
磷化銦材料的發展促進了PBN坩堝的需求，山東國晶新材料有限公司 一直致力于生產更高質量的PBN坩堝，為滿足磷化銦材料生產廠家的大量需求奠定堅實基礎。